Танталовый лист 0,35х50х100 мм ТВЧ в Электростали

Танталовый лист марки ТВЧ и ТаВ обладают высокой и сопоставимой коррозионной стойкостью в средах, содержащих йод. Тантал устойчив к воздействию галогенов, за исключением фтора. Различия в коррозии будут минимальными, если среда не содержит дополнительных агрессивных компонентов, к которым ниобий в ТаВ может быть менее стоек.

Преимущества использования танталового листа для футеровки емкостей, работающих с высокоагрессивными средами, включают исключительную коррозионную стойкость, что значительно продлевает срок службы оборудования, снижает затраты на обслуживание и обеспечивает высокую чистоту продукта за счет отсутствия загрязнений от коррозии.

Для изготовления компонентов медицинского оборудования, требующих высокой биосовместимости, используются танталовые листы марки ТВЧ. Его высокая чистота и химическая инертность обеспечивают отсутствие реакции с тканями организма, что делает его идеальным для имплантатов и хирургических инструментов.

В космической отрасли танталовый лист имеет перспективы использования для создания компонентов ракетных двигателей, тепловых экранов, элементов обшивки космических аппаратов и систем жизнеобеспечения. Его высокая температура плавления, коррозионная стойкость и прочность при высоких температурах незаменимы для работы в условиях космоса.

Меньшая шероховатость поверхности танталового листа способствует лучшей устойчивости к налипанию продуктов реакции. Гладкая, полированная поверхность минимизирует адгезию отложений и облегчает очистку, что важно для поддержания эффективности процессов и продления срока службы оборудования.

Температура плавления танталового листа составляет 2996°C. Это одна из самых высоких температур плавления среди всех металлов, что делает тантал пригодным для высокотемпературных применений.

Для использования в качестве фольги для конденсаторов подходит танталовый лист марки ТВЧ толщиной 0.1 мм и тоньше. Его высокая чистота тантала обеспечивает низкие токи утечки и стабильные диэлектрические свойства после формирования анодного оксидного слоя, что критично для электронных компонентов.